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长光辰芯发布高速背照式全局快门CMOS图像传感器――GSPRINT5514BSI

2024-11-21 【 字体:

长光辰芯发布高速背照式全局快门CMOS图像传感器-GSPRINT5514BSI。该产品基于先进的背照式工艺打造,具备GSPRINT系列的高速、低噪声、高动态范围等优异特性,助力3C电子、半导体、SMT等诸多行业的应用升级。

长光辰芯发布高速背照式全局快门CMOS图像传感器-GSPRINT5514BSI。该产品基于先进的背照式工艺打造,具备GSPRINT系列的高速、低噪声、高动态范围等优异特性,助力3C电子、半导体、SMT等诸多行业的应用升级。

CMOS图像传感器.png

低噪声、高灵敏度,助力工业应用全面升级

CMOS图像传感器的灵敏度主要由三个因素决定,分别为像素尺寸、读出噪声以及量子效率。在以往的工业全局快门高速产品中,三者往往很难兼容。GSPRINR5514BSI作为一款高速全局快门产品,将上述三个参数进行优化提升,以适应最新的工业检测的需求。

GSPRINT5514BSI采用了5.5μm的大像素设计,有效分辨率为4608(H) x 3072(V),相比较同等光学尺寸的已有GSPRINT系列产品,像元面积提升了50%。同时得益于先进的电荷域全局快门像素设计,使得其读出噪声在全速模式下小于2e-, 其读出噪声水平直接媲美科学级GSENSE系列产品。另外,GSPRINT5514BSI采用了先进的背照式生产工艺,使得其峰值量子效率可达86%,和同等光学尺寸的GSPRINT系列前照式产品相比,量子效率提升23%。以上三点性能的提升,极大提升了芯片的响应灵敏度,以降低在工业场景下的光源强度,减少光污染。

CMOS图像传感器-2.png

紫外、可见光、近红外,拓展行业新应用

GSPRINT5514BSI不仅在可见光谱段具有较高的峰值量子效率,同时兼顾了芯片在紫外以及近红外的响应。芯片区分带有微透镜和不带微透镜的两个版本,不带微透镜的版本芯片,其在200-300nm之间,平均量子效率达到20%。对于带微透镜的芯片,兼顾了可见光和近红外的应用,在800nm波长下,量子效率达到40%以上。GSPRINT5514BSI宽谱段响应的特性,使其可以适配更多的工业场景以及拓展更多的应用,如工业透明材料检测,运动捕捉等。

GSPRINT5514BSI QE曲线.png
GSPRINT5514BSI QE曲线

高速、高动态,提升检测精度和效率

GSPRINT5514BSI继承了GSPRINT系列高帧频、高动态的特性。该产品支持12bit和10bit ADC输出,其帧频分别为350fps和670fps,最高数据率达到94.84Gbps,完美匹配目前市场上最先进的100GiGE相机接口。同时,为解决某些行业面临的高反射物体成像的问题,GSPRINT5514BSI分别支持双增益HDR(Dual Gain HDR)和多斜率HDR(Multiple-slope HDR)两种模式。在双增益HDR模式下其动态范围最高可达77.5dB。GSPRINT5514BSI的以上特性,也使其成为3D AOI、SPI等结构光工业方案以及高速摄影领域的理想选择。

更高兼容度,用户更友好

GSPRINT5514BSI采用454 pins 陶瓷µPGA封装,封装尺寸为42.00mm x 38.00mm,且管脚与GSPRINT4510、GSPRINT4521兼容,更加方便老用户的开发集成。芯片提供黑白和彩色两个版本。

GSPRINT5514BSI.png

产品的工程样片即日起可订购,预计2025 年2月开始量产。

(来源:中电网)
The End
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