“在全球半导体产业格局重塑和国产化浪潮的推动下，中国高端射频芯片的国产化进程正在快速推进。在此之际，频岢微电子凭借在射频滤波器芯片领域的技术突破，为国内半导体产业的自主可控发展提供了坚实的技术基础。

在全球半导体产业格局重塑和国产化浪潮的推动下，中国高端射频芯片的国产化进程正在快速推进。在此之际，频岢微电子凭借在射频滤波器芯片领域的技术突破，为国内半导体产业的自主可控发展提供了坚实的技术基础。

近期，频岢微电子推出了PH-SAW高端量产产品系列，包括1612尺寸（1.6mmx1.2mm）的Band25和1814尺寸（1.8mmx1.4mm）的Band28F两款高性能双工器，以及2016尺寸（2.0mmx1.6mm）的Band2566四工器。这些产品作为移动通信领域的重要补充，其推出能够为日渐小型化的终端客户设计提供更灵活的选择，确保终端整体更加紧凑，满足市场对高性能射频芯片的需求。

高性能1612 Band25双工器

频岢此次推出的基于PH-SAW的高性能Band25双工器，标准尺寸为1.6mm×1.2mm，最大高度为0.6mm。该款产品具有损耗低隔离度高等特点，其中TX通带损耗典型值1.8dB，RX通带损耗典型值2.0dB，在TX频段和RX频段的隔离度典型值分别为54dB和58dB，输入功率达到31dBm@ 5000h，55℃。详细测试数据如图1所示，产品如图2所示：

图1 频岢PH-SAW B25 1612 双工器测试数据

图2 频岢PH-SAW B25 1612 双工器外形图

高性能1814 Band28F双工器

频岢此次推出的基于PH-SAW的高性能Band28F双工器，标准尺寸为1.8mm×1.4mm，最大高度为0.6mm。该款产品具有损耗低隔离度高等特点，其中 TX通带损耗典型值2.2dB，RX通带损耗典型值2.7dB，在TX频段和RX频段的隔离度典型值分别为57dB和58dB，输入功率达到33dBm@ 5000h，55℃。详细测试数据如图3所示，产品如图4所示：

图3 频岢PH-SAW B28F 1814 双工器测试数据

图4 频岢PH-SAW B28F 1814 双工器外形图

高性能2016 Band2566四工器

频岢此次推出的基于PH-SAW的高性能Band2566四工器，标准尺寸为2.0mm×1.6mm，最大高度为0.6mm。该款产品具有损耗低隔离度高等特点，该款Band25+66+70四工器B25 Tx通带插损典型值小于2.0dB，Rx通带插损典型值小于2.5dB；B66 Tx通带插损典型值小于1.5dB，Rx通带插损典值小于1.8dB；B70 Tx通带插损典型值小于1.8dB，Rx通带插损典值小于1.8dB；B25以及B66各自的发射/接收间隔离度均超过57dB, B25发射/B66接收交叉隔离度大于56dB, B66发射/B25接收交叉隔离度大于58dB，TCF温漂系数低于5ppm/℃。另外，B25 TX频段线性耐受功率均可达到+30dBm，B66 TX频段线性耐受功率均可达到+34dBm。详细测试数据如图5所示，产品如图6所示：

图5 频岢PH-SAW B2566 2016 四工器测试数据

图6 频岢PH-SAW B2566 2016 四工器外形图

频岢微电子的PH-SAW滤波器产品，在全球半导体产业格局重塑的关键时刻，展现了中国在高端射频芯片领域的自主创新能力。此次四工器及双工器新品的推出，不仅进一步巩固了频岢在射频滤波器领域的技术领先地位，同时也为行业合作伙伴提供了更加灵活、可靠的解决方案，助力移动通信与物联网生态的高质量发展。随着5G技术的不断深入，频岢微电子的PH-SAW滤波器产品有望在全球范围内发挥更大的作用，推动5G技术向更智能、更高效的方向发展。