英飞凌推出用于超高功率密度设计的全新E型XDP 混合反激控制器IC
2025-03-27 【 字体:大 中 小 】
“继推出业界首款PFC和混合反激(HFB)组合IC后,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)又推出E型混合反激控制器系列。专为高性能应用设计的全新XDP™混合反激数字控制器系列,采用先进的不对称半桥(AHB)拓扑结构,将反激转换器的简易性和谐振转换器的效率相结合,从而实现高功率密度设计。
”继推出业界首款PFC和混合反激(HFB)组合IC后,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)又推出E型混合反激控制器系列。专为高性能应用设计的全新XDP™混合反激数字控制器系列,采用先进的不对称半桥(AHB)拓扑结构,将反激转换器的简易性和谐振转换器的效率相结合,从而实现高功率密度设计。因此,该控制器系列适用于各类AC/DC应用,包括二级市场和原厂充电器、适配器、电动工具、电动自行车充电器、工业开关电源、电视机电源、LED驱动器等。

XDP™ XDPS2221E DSO-14-66
与有源钳位反激(ACF)和 LLC 谐振转换器相比,混合反激拓扑结构具有诸多优势。它减少了磁能存储,并以较低的漏感运行,从而实现更小尺寸的变压器设计。混合反激(HFB)在广泛的输出电压范围内实现了高效率,并通过多模式运行减少了功率损耗,不仅降低了待机功耗,还提升了低负载条件下的效率,以符合《能效一致性证书》(CoC) 2 级和美国能源部(DoE)7级标准。这些特性使HFB非常适合设计紧凑、高效的电源。通过正在申请专利的PFC特性改进技术、同步PFC和HFB启动操作,以及面向最新CoolGaN™晶体管的优化措施,E型混合反激IC进一步提高了功率转换应用的性能。此外,简化的参数配置,配合全面的设计工具和设计指南,为高效地实现先进设计提供了有力支持。
该技术的相关信息已在美国亚特兰大APEC 2025大会(3月16日-20日)英飞凌展台上公布。展品包括超紧凑型140 W GaN充电器、拥有出色待机表现和部分负载效率的 120 W多端口充电器解决方案,以及DC-DC电压转换效率达到97%以上的超薄400 W电源装置。
点击这里了解英飞凌E型XDP™混合反激控制器IC的更多信息。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约58,060名员工(截至2024年9月底),在2024财年(截至9月30日)的营收约为150亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市(股票代码:IFX),在美国的OTCQX国际场外交易市场上市(股票代码:IFNNY)。
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英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约3,000多名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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