“随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展，其动力系统的关键组件：IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观；为更好地迎合上述市场的需求，金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列（“T”为贴片式封装）。

随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展，其动力系统的关键组件：IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观；为更好地迎合上述市场的需求，金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列（“T”为贴片式封装）。

该产品适用于充电桩、新能源光伏、智能电网、工业控制、轨道交通和变频白电等行业。

01 产品优势

1 QA-R3S系列驱动电源产品

①5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘

输入-输出隔离电压高达5000VAC，优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。

②满足1700V长期绝缘要求（适用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（局部放电）达到1700V，应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③高可靠性，耐受1000+次温度冲击

④多项性能指标提升

该系列驱动电源相较于友商类似产品，在整体性能上可做到与行业水平持平或更优。

2 QA_T-R3S系列驱动电源产品

①5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘

输入-输出隔离电压高达5000VAC，优于市场上常规产品，且满足加强绝缘设计要求，整体可靠性得到极大提升。

②满足2000V/2500V长期绝缘要求，6W产品原副边间距>14mm

该系列2.4W产品基于IEC-61800-5-1标准要求，实现长期绝缘电压（局部放电）达到2.5kV，应用范围覆盖2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；而6W产品长期绝缘电压达到2kV，应用范围覆盖2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③贴片式封装方式

该系列均采用SMD封装方式，相比插件式封装，可有效节省空间、更灵活地在电路板上布局，并可提高产品生产的自动化程度和产品的防潮性能。

④高可靠性，耐受1000+次温度冲击

⑤多项性能指标提升

02 产品应用

该系列产品。

03 典型应用

可应用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩、智能电网、工业控制、轨道交通和变频白电等多种场合。

04 产品特点

1)QA-R3S系列

• 隔离电压 5000VAC 
• 满足加强绝缘 
• CMTI>200kV/µs 
• 超小隔离电容 3.5pF( typ.)
• 局部放电 1700V
• 效率高达 87% 
• 工作温度范围: -40℃ to +105℃
• 超小型 SIP 封装 

2)QA_T-R3S系列

• 隔离电压 5000VAC 
• 满足加强绝缘 
• CMTI>200kV/µs
• 超小隔离电容: 2.4W产品2.5pF(typ.)；6W产品13pF(typ.)
• 局部放电 2.4W产品2.5kV；6W产品2kV
• 效率超过80%,（2.4W产品86%；6W产品81%）
• 潮敏等级(MSL) 1
• AEC-Q100 实验中
• 拥有4项高新专利，方案完全自主可控
• 工作温度范围: -40℃ to +105℃