金升阳推出5000V隔离 高性能插件式单路驱动电源
2025-04-10 【 字体:大 中 小 】
“随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展,其动力系统的关键组件:IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观;为更好地迎合上述市场的需求,金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列(“T”为贴片式封装)。
”随着新能源电动汽车行业的蓬勃发展,其动力系统的关键组件:IGBT及SiC MOSFET驱动件需求量十分可观;为更好地迎合上述市场的需求,金升阳推出了高性能的第三代插件式单路驱动电源QA_(T)-R3S系列(“T”为贴片式封装)。
该产品适用于充电桩、新能源光伏、智能电网、工业控制、轨道交通和变频白电等行业。

01 产品优势
1 QA-R3S系列驱动电源产品
①5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘
输入-输出隔离电压高达5000VAC,优于市场上常规产品,且满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。
②满足1700V长期绝缘要求(适用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET)
基于IEC-61800-5-1标准要求,实现长期绝缘电压(局部放电)达到1700V,应用范围覆盖1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。
③高可靠性,耐受1000+次温度冲击
④多项性能指标提升
该系列驱动电源相较于友商类似产品,在整体性能上可做到与行业水平持平或更优。

2 QA_T-R3S系列驱动电源产品
①5000VAC高可靠隔离电压,满足加强绝缘
输入-输出隔离电压高达5000VAC,优于市场上常规产品,且满足加强绝缘设计要求,整体可靠性得到极大提升。
②满足2000V/2500V长期绝缘要求,6W产品原副边间距>14mm
该系列2.4W产品基于IEC-61800-5-1标准要求,实现长期绝缘电压(局部放电)达到2.5kV,应用范围覆盖2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件;而6W产品长期绝缘电压达到2kV,应用范围覆盖2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。
③贴片式封装方式
该系列均采用SMD封装方式,相比插件式封装,可有效节省空间、更灵活地在电路板上布局,并可提高产品生产的自动化程度和产品的防潮性能。
④高可靠性,耐受1000+次温度冲击
⑤多项性能指标提升

02 产品应用
该系列产品。
03 典型应用
可应用于光伏逆变器、电机驱动、充电桩、智能电网、工业控制、轨道交通和变频白电等多种场合。

04 产品特点
1)QA-R3S系列
• 隔离电压 5000VAC
• 满足加强绝缘
• CMTI>200kV/µs
• 超小隔离电容 3.5pF( typ.)
• 局部放电 1700V
• 效率高达 87%
• 工作温度范围: -40℃ to +105℃
• 超小型 SIP 封装
2)QA_T-R3S系列
• 隔离电压 5000VAC
• 满足加强绝缘
• CMTI>200kV/µs
• 超小隔离电容: 2.4W产品2.5pF(typ.);6W产品13pF(typ.)
• 局部放电 2.4W产品2.5kV;6W产品2kV
• 效率超过80%,(2.4W产品86%;6W产品81%)
• 潮敏等级(MSL) 1
• AEC-Q100 实验中
• 拥有4项高新专利,方案完全自主可控
• 工作温度范围: -40℃ to +105℃
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