“Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。

结合铜夹片封装和宽禁带半导体的优势

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装，为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识，如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管（GaN FET），Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化镓场效应管，采用CCPAK1212i顶部散热封装技术，开创了宽禁带半导体和铜夹片封装相结合的新时代。这项技术为太阳能和家用热泵等可再生能源应用带来诸多优势，进一步加强了Nexperia为可持续应用开发前沿器件技术的承诺。该技术还适用于广泛的工业应用，如伺服驱动器、开关模式电源(SMPS)、服务器和电信应用。

Nexperia的创新型CCPAK封装采用了Nexperia成熟的铜夹片封装技术，无需内部焊线，从而可以减少寄生损耗，优化电气和热性能，并提高了器件的可靠性。为了更大限度地提升设计灵活性，CCPAK GaN FET提供顶部或底部散热配置，进一步改善散热性能。

GAN039-650NTB的级联配置使其能够提供出色的开关和导通性能，此外其稳健可靠的栅极结构可提供较高的噪声容限。这一特性还有益于简化应用设计，无需复杂的栅极驱动器和控制电路，只需使用标准硅MOSFET驱动器即可轻松驱动这些器件。Nexperia的GaN技术提高了开关稳定性，并有助于将裸片尺寸缩小约24%。此外，器件的R_DS(on)在25℃时仅为33 mΩ（典型值），同时其具有较高的门极阈值电压和较低的等效体二极管导通压降。

Nexperia副总裁兼GaN FET业务部总经理Carlos Castro表示：“Nexperia深刻认识到，工业和可再生能源设备的设计人员需要一种高度稳健的开关解决方案，以便在进行功率转换时实现出色的热效率。因此Nexperia决定将其级联GaN FET的优异开关性能与其CCPAK封装的优越热性能结合起来，为客户提供杰出的解决方案。”

Nexperia不断丰富其CCPAK产品组合，目前已推出顶部散热型33 mΩ（典型值）、650 V GAN039-650NTB，很快还将推出底部散热型版本GAN039-650NBB，其R_DS(on)与前者相同。有关数据手册和样品等更多信息，请访问www.nexperia.cn/ccpak。

关于Nexperia

Nexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有商业电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。