“Nexperia再次在APEC上展示产品创新，今天宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET

专业研发提供节省空间的PoE ASFET和EMC优化型NextPowerS3 MOSFET。

2024年2月29日：Nexperia再次在APEC上展示产品创新，今天宣布发布几款新型MOSFET，以进一步拓宽其分立开关解决方案的范围，可用于多个终端市场的各种应用。此次发布的产品包括用于PoE、eFuse和继电器替代产品的100 V 应用专用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封装，体积缩小60%，以及改进了电磁兼容性(EMC)的40 V NextPowerS3 MOSFET

PoE交换机通常有多达48个端口，每个端口需要2个MOSFET提供保护。单个PCB上有多达96个MOSFET，小型化器件封装尺寸的解决方案极具吸引力。为此，Nexperia发布了采用2 mm x 2 mm DFN2020封装的100 V PoE ASFET，与以前采用LFPAK33封装的版本相比，占用的空间减少了60%。这些器件的一个关键功能是通过限制浪涌电流来保护PoE端口，同时安全地管理故障情况。为了应对这种情况，Nexperia将这些器件的安全工作区(SOA)增强了3倍，而R_DS(on)只有非常微小的增幅。 这些ASFET还适用于电池管理、Wi-Fi热点、5G微微蜂窝和闭路电视应用，并且可以替代智能恒温器中的机械式继电器等。

由MOSFET开关引起的EMC相关问题通常只出现在产品开发周期的后期，解决这些问题可能会产生额外的研发成本并延迟市场发布。典型的解决方案包括使用更昂贵且R_DS(on)较低的MOSFET（以减慢开关速度并吸收过多的电压振铃）或安装外部电容缓冲器电路，但这种方法的缺点是会增加元件数量。Nexperia优化了其40 V NextPowerS3 MOSFET，以提供与使用外部缓冲器电路可实现的相似的EMC性能，同时还提供更高的效率。这些MOSFET采用LFPAK56封装，适用于各种应用的开关转换器和电机控制器。

Nexperia MOSFET营销和产品部总监Chris Boyce说道：“通过在APEC 2024上推出我们的分立式FET解决方案的最新产品系列，Nexperia展示了我们如何利用我们专业的研发知识来提供优化的解决方案。新型100 V PoE ASFET以及40 V NextPowerS3 MOSFET改进的EMC性能都表明了我们坚定支持工程师克服各种应用挑战的决心。这些创新凸显了Nexperia致力于提供高效、紧凑和可靠的解决方案，帮助我们的客户在当今不断发展的市场中取得成功。”

欲了解有关Nexperia PoE ASFET的更多信息，请访问： https://nexperia.cn/asfets-for-poe
欲了解有关Nexperia NextPowerS3 MOSFET的更多信息，请访问：https://nexperia.cn/nextpowers3

关于Nexperia

Nexperia总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。