“长光辰芯发布时间延迟积分（TDI）CMOS图像传感器GLT5009BSI深紫外（Deep Ultraviolet- DUV）增强版本。产品采用先进的背照式技术，在GLT5009BSI可见光版本的基础上，DUV版本极大提升了UV范围的灵敏度，结合GLT5009BSI固有的高分辨率、高灵敏度、高动态范围、宽光谱响应、低噪声等优异性能，DUV版本的应用领域进一步得到拓展，为半导体晶圆缺陷检测、半导体材料缺陷检测等应用提供更高效率、精准的检测支持。

长光辰芯发布时间延迟积分（TDI）CMOS图像传感器GLT5009BSI深紫外（Deep Ultraviolet- DUV）增强版本。产品采用先进的背照式技术，在GLT5009BSI可见光版本的基础上，DUV版本极大提升了UV范围的灵敏度，结合GLT5009BSI固有的高分辨率、高灵敏度、高动态范围、宽光谱响应、低噪声等优异性能，DUV版本的应用领域进一步得到拓展，为半导体晶圆缺陷检测、半导体材料缺陷检测等应用提供更高效率、精准的检测支持。

目前，在半导体晶圆检测系统中大多使用266nm的激光器。为了应对266nm下的晶圆检测需求，长光辰芯在GLT5009BSI可见光版本的基础上，通过优化晶圆表面像素层ARC膜系的结构，提升TDI传感器在DUV谱段的响应，使其在266nm波段的量子效率可达50%以上。GLT5009BSI-DUV版本的芯片，不仅其极高的行频保证了检测效率，同时也使得检测系统具有更高的灵敏度。

GLT5009BSI-DUV QE曲线

DUV版本与可见光版本一样，采用5μm像素设计，水平分辨率为9072像素，芯片具有两个积分谱段，其TDI积分级数分别为256级和32级，用户可以根据其使用要求进行选择。GLT5009BSI-DUV具有16ke^-的满阱以及6e^-的读出噪声，其单幅动态范围达68dB，该芯片也可同时输出两个谱段进行高动态合成，进一步提升动态范围。该芯片还针对强光溢出问题进行了优化，其抗光晕能力可达到100x。

GLT5009BSI-DUV版本保持了可见光版本的高行频特性，芯片最高可以输出608kHz @10bit以及300kHz@12bit的行频，芯片还支持片上2x2像素合并，在不损失行频的基础上，进一步提升灵敏度。

GLT5009BSI-DUV版本封装信息与可见光版本相同，在可见光版本的基础上， 用户无需改变任何硬件和软件设计，即可快速集成DUV版本的芯片。DUV产品即日起接受订购。