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三菱电机开始提供用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片样品

2024-09-07 【 字体:大 中 小 】

“三菱电机集团近日(2024年8月20日)宣布,将从2024年10月1日起开始提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管(PD)芯片样品,以支持800Gbps和1.6Tbps光纤通信。三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片,将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据,从而扩大光收发器的通信容量,从而有助于提高数据中心内的通信速度和容量。

”

图1:用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片图示.png
用于800Gbps和1.6Tbps光纤通信的200Gbps PIN-PD芯片图示

三菱电机集团近日(2024年8月20日)宣布,将从2024年10月1日起开始提供用于下一代光收发器的新型200Gbps PIN光电二极管(PD)芯片样品,以支持800Gbps和1.6Tbps光纤通信。三菱电机的光学设备阵容中增加了新的接收器芯片,将使传输速度为800Gbps/1.6Tbps的现有设备能够以相同的速度接收新的光数据,从而扩大光收发器的通信容量,从而有助于提高数据中心内的通信速度和容量。

在物联网技术发展的背景下,随着连接到网络的终端数量的增加、高分辨率视频流的扩展以及生成式人工智能技术的普及,数据通信量呈指数级增长,对网络速度和容量的需求比以往任何时候都更加迫切。特别是在市场增长迅速的数据中心,通信速度正在从400Gbps向800Gbps甚至1.6Tbps转变。光纤收发器面临的挑战是,在用于发射的光学设备中,产品可支持下一代800Gbps和1.6Tbps,而在用于接收的光学设备中,满足性能要求的产品较少。

继三菱电机于2023年4月推出用于光传输的芯片200Gbps(112Gbaud四电平脉冲幅度调制[PAM4])电吸收调制器激光二极管(EML)之后,即将推出用于光接收的200Gbps PIN-PD芯片。利用多年来在光学器件设计和制造中积累的专门知识,三菱电机开发了一种新的PD芯片,通过采用背面入射结构和凸透镜集成结构,尽可能缩小光电转换区域,从而实现高速传输。

产品特点

集成了背面入射和凸透镜结构,用于数据中心的高速、大容量通信

• 该芯片结构集成了背面入射和聚光凸透镜,最大限度地减小了光电转换面积,实现低电容,可达到200Gbps高速传输(112Gbaud PAM4),是传统主流产品(100Gbps)的两倍。

• 配备4个新型PD芯片的光收发器可实现800Gbps通信,8个芯片可实现1.6Tbps通信,为高速、大容量数据中心做出贡献。

图2:集成背面入射和凸透镜的PD芯片结构横截面图.png
集成背面入射和凸透镜的PD芯片结构横截面图

使光收发器的组装效率更高,制造成本更低

• 与传统结构相比,凸透镜的光接收面积增加了约四倍,使新的PD芯片能够接收到略微偏离中心的入射光。消除了对入射光精确对准的需要,有助于提高光收发器的组装效率。

• 通过将PD芯片的电极与信号放大IC或基板上的倒装芯片封装相对应,可以消除组装光收发器时的导线连接工序,有助于降低制造成本。

通过集成凸透镜扩大光接收区域.png
通过集成凸透镜扩大光接收区域

倒装芯片封装.png
倒装芯片封装

主要规格

主要规格.JPG

本产品符合RoHS指令2011/65/EU和(EU)2015/863。

网站

有关光器件的更多信息,请访问www.MitsubishiElectric.com/semiconductors/opt/ 
*背面入射:一种结构,其中引脚结位于半导体衬底的前侧,允许入射光在相反(背)侧被接收。
**倒装芯片安装:将一个芯片倒装在另一个组件上的方法
***Restriction of the Use of Certain Hazardous Substances in Electrical and Electronic Equipment

关于三菱电机

三菱电机创立于1921年,是全球知名的综合性企业。截止2024年3月31日的财年,集团营收52579亿日元(约合美元348亿)。作为一家技术主导型企业,三菱电机拥有多项专利技术,并凭借强大的技术实力和良好的企业信誉在全球的电力设备、通信设备、工业自动化、电子元器件、家电等市场占据重要地位。尤其在电子元器件市场,三菱电机从事开发和生产半导体已有68年。其半导体产品更是在变频家电、轨道牵引、工业与新能源、电动汽车、模拟/数字通讯以及有线/无线通讯等领域得到了广泛的应用。

(来源:中电网)
The End
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