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锐骏半导体发布两款全新超低导、通电阻MOSFET产品

2024-09-30 【 字体:

锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导 通电阻MOSFET产品,型号分别为RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V/80A)。这两款产品均采用DFN5060封装,凭借先进的制造工艺和出色的性能表现,将为客户带来更高效的解决方案。

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锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导  通电阻MOSFET产品,型号分别为RUH4040M-B(40V/40A)和RUH4080M-B(40V/80A)。这两款产品均采用DFN5060封装,凭借先进的制造工艺和出色的性能表现,将为客户带来更高效的解决方案。

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封装引脚描述

N-Channel MOSFET系列 RUH4040M-B

RUH4040M-B是一款N沟道先进功率 MOSFET,采用了先进SGT(屏蔽栅极槽)技术。是一款高效、低导通电阻的N沟道MOSFET,适合用于各种高频、高效电源管理应用,尤其在DC/DC转换器、无线充电和同步整流等领域表现优异。

---产品特点---

・ 低导通电阻:
  RDS(ON) @VGS=10V = 5.5mΩ
  RDS(ON) @VGS=4.5V = 7.5mΩ
・ VGS(th) = 1-3V
・ Qg = 19.8nC,较低的栅极电荷,在高频应用中具有出色的开关性能。
・ 通过100%雪崩测试 
・ 低热阻使其具备良好的散热性能,适合处理高功率的场景。

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---产品应用---

・ DC/DC转换器
・ PD无线充电器
・ 同步整流器件

N-Channel MOSFET系列 RUH4080M-B

RUH4080M-B是一款高性能的N沟道 MOSFET,采用先进SGT(屏蔽栅极槽)技术,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于高效电源管理和高速开关的应用场景。

---产品特点---

・ 超低导通电阻
  RDS(ON) (typ.)@VGS=10V = 3.5mΩ
  RDS(ON) (typ.)@VGS=4.5V = 4.4mΩ
・ 快速开关性能
・ 通过100%雪崩测试,确保在高能量条件下的稳健性
・ 高电流处理能力
・ 具备出色的散热性能

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---产品应用---

・ 电池管理
・ PD无线充电
・ 电机控制与驱动

(来源:中电网)
The End
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