“Kioxia Corporation是全球存储解决方案领域的优秀企业，该公司今日宣布，已开始量产首款1 基于每单元4位（即四层单元，QLC)技术的通用闪存存储(UFS)2 Ver. 4.0嵌入式闪存设备。

全新512GB设备将QLC的高比特密度引入UFS

Kioxia Corporation是全球存储解决方案领域的优秀企业，该公司今日宣布，已开始量产首款1 基于每单元4位（即四层单元，QLC)技术的通用闪存存储(UFS)2 Ver. 4.0嵌入式闪存设备。

QLC UFS Ver. 4.0嵌入式闪存设备（照片：美国商业资讯）

QLC UFS提供的比特密度高于传统的TLC UFS，非常适合用于对存储容量有更高需求的移动应用。控制器技术和错误纠正技术的提升，使得QLC技术在保持卓越性能的同时实现了这一点。Kioxia新款512GB QLC UFS的顺序读取速度可达4,200兆字节每秒（MB/秒），顺序写入速度可达3,200MB/秒，充分发挥了UFS 4.0接口速度的优势。

Kioxia的QLC UFS非常适合用于智能手机、平板电脑，以及其他对存储容量和性能有重要考量的下一代应用，包括PC、网络设备、增强现实/虚拟现实(AR/VR)和人工智能(AI)。

Kioxia率先推出UFS技术3，并不断研发新产品。 新推出的QLC UFS Ver. 4.0设备将该公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存与控制器整合在JEDEC标准封装中。UFS 4.0采用了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，理论接口速度可达每通道23.2吉比特每秒(Gbps)（每设备可达46.4 Gbps），同时向后兼容UFS 3.1。

关键特性包括：

支持高速链路启动序列(HS-LSS)特性：在传统UFS中，设备与主机之间的链路启动（M-PHY和UniPro初始化序列）以低速PWM-G1（3~9兆比特每秒）4执行，而使用HS-LSS时，能以更快的HS-G1 Rate A（1,248兆比特每秒）执行。与传统方法相比，预计这可将链接启动时间缩短约70%。

增强安全性：通过使用高级重放保护内存块(RPMB)来改善对安全数据（例如RPMB区域的用户凭证）的读写访问，并利用RPMB Purge确保迅速且安全地清除被丢弃的安全数据。

支持扩展启动器ID (Ext-IID)：旨在与UFS 4.0主机控制器的多循环队列(MCQ)结合使用，以提升随机性能。

注释：

(1) 行业首创声明基于Kioxia截至2024年10月30日所进行的公开信息调查
(2) 通用闪存存储(UFS)是一个产品类别，专指一类按照JEDEC UFS标准规范构建的嵌入式内存产品。由于采用串行接口，UFS支持全双工通信，使得主处理器与UFS设备之间能够并行进行读写操作。
(3) Kioxia Corporation的首批样品发货日期为2013年2月8日。
https://www.kioxia.com/en-jp/business/news/2013/20130208-1.html
(4) PWM-G1通信速度取决于主机和设备。

*每当提到Kioxia产品时：产品密度是根据产品内部的内存芯片密度来确定的，而非根据最终用户可用的数据存储容量确定。由于管理开销数据区、格式化、坏块及其他限制，消费者可用容量会减少，并可能因主机设备和应用程序而异。有关详细信息，请参阅适用的产品规格。1KB被定义为2^10字节，即1,024字节；1Gb被定义为2^30比特，即1,073,741,824比特；1GB被定义为2^30字节，即1,073,741,824字节；1Tb被定义为2^40比特，即1,099,511,627,776比特。

*1 Gbps计算为每秒1,000,000,000比特。读写速度是在Kioxia的特定测试环境中获得的最佳值，Kioxia不对各个设备的读写速度提供任何保证。读写速度可能会因所使用的设备和读写文件的大小而有所不同。

*公司名称、产品名称和服务名称可能是第三方公司的商标。

关于Kioxia

Kioxia是全球领先的存储解决方案提供商，致力于开发、生产和销售闪存和固态硬盘(SSD)。2017年4月，Kioxia的前身Toshiba Memory从Toshiba Corporation中独立出来。Toshiba Corporation正是1987年发明NAND闪存的公司。Kioxia致力于通过提供各种产品、服务和系统来为客户创造选择，并为社会创造基于存储技术的价值，从而提升世界的“记忆”。Kioxia的创新3D闪存技术BiCS FLASH™正在引领高密度应用领域中使用的存储解决方案的未来发展，包括先进的智能手机、PC、固态硬盘(SSD)、汽车和数据中心等领域。