“长光辰芯（Gpixel）重磅发布两款高速、高灵敏度、背照式CMOS TDI图像传感器――GLT5008BSI/GLT5016BSI。此两款产品采用更优化的设计，具有更高的行频、更高量子效率，更好的片上集成度，更加匹配半导体晶圆检测、FPD检测、高通量基因测序、生物荧光成像等行业的应用需求。

8K/16K背照式 CMOS TDI 图像传感器

长光辰芯（Gpixel）重磅发布两款高速、高灵敏度、背照式CMOS TDI图像传感器――GLT5008BSI/GLT5016BSI。此两款产品采用更优化的设计，具有更高的行频、更高量子效率，更好的片上集成度，更加匹配半导体晶圆检测、FPD检测、高通量基因测序、生物荧光成像等行业的应用需求。

1M Hz高行频，更高数据吞吐量

助力高端仪器产业升级

GLT5008BSI和GLT5016BSI基于相同的架构进行设计，采用5um的电荷域TDI像素设计，片上集成两个谱段，积分级数分别为256级+32级。GLT5008BSI有效分辨率为8208像素，支持10bit和12bit ADC输出，最高行频分别可达1M Hz和500k Hz。GLT5016BSI有效分辨率为16416像素，其最高行频可达到500k Hz。两款产品最高输出数据率分别为86.4Gbps 和103.7Gbps, 均可采用100GiGE相机接口进行数据传输。两款产品均面向下一代更高通量、更高检出率的基因测序、半导体检测、屏幕检测等应用而开发，助力高端仪器装备行业产业升级。

更低读出噪声，更高灵敏度

为弱光成像提供解决方案

在高速成像中，往往积分时间都较短，在单位时间内捕捉到的信号有限，导致最终图像信噪比较差，无法满足用户在弱光下的需求，因此TDI图像传感器也成为了此类应用场景的理想解决方案。

GLT5008BSI/GLT5016BSI通过采用片上256级TDI积分设计进行信号累积，提升灵敏度。另外两款产品均采用了低噪声的像素设计和电路设计，其最小读出噪声低于7.7e-，最高动态范围66dB。通过优化设计，使其具有更强的anti-blooming能力以及大于0.99996的电荷转移效率（CTE）。以上特性，使得两款产品在全速工作下获得更高的信噪比。

定制化ARC，更宽光谱响应

赋能各行各业

根据被检测目标的不同特征，往往使用的照明光源或者激发光源的谱段均不相同，如在半导体晶圆检测中，其最常用光源为紫外光源，以193nm、266nm为典型波长。在基因测序中，不同碱基在不同激发光下的发射波长不同，其光谱范围可涵盖从可见光到近红外，因此无法使用一种完全相同的ARC设计来满足不同的应用要求。

GLT5008BSI/GLT5016BSI根据不同应用进行ARC优化设计，分别为紫外谱段优化设计（UV）以及可见光优化设计（VIS）。在UV版本下，其在300nm以下的峰值量子效率可达80%以上；在266nm下，其量子效率可到65%以上；在VIS版本下，峰值量子效率可高达92.4% @ 440nm。此外，除以上两种ARC外，也可根据用户需求，提供不同谱段ARC定制服务。

GLT5008BSI和GLT5016BSI采用了片上时序设计，进一步简化了相机设计，且最高功耗仅为4.2W（1M Hz）/6.4W，结合定制化的陶瓷封装，使其具有更好的可靠性和散热性。

GLT5008BSI和GLT5016BSI工程样片即日起接受订购。

GLT5008BSI

GLT5016BSI