HBF首个标准发布，AI存储迈入新阶段

“ 8月4日，闪存峰会（FMS 2026）在美国加州圣克拉拉举办。会议期间，SK海力士与闪迪联合宣布，正式发布“高带宽闪存”（HBF）的首个行业标准规范。这标志着旨在解决AI基础设施存储瓶颈的新型架构，正式进入标准化阶段。
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8月4日，闪存峰会（FMS 2026）在美国加州圣克拉拉举办。会议期间，SK海力士与闪迪联合宣布，正式发布“高带宽闪存”（HBF）的首个行业标准规范。这标志着旨在解决AI基础设施存储瓶颈的新型架构，正式进入标准化阶段。

当前，AI推理应用日益普及，数据处理需求激增，现有存储架构面临挑战。高带宽内存（HBM）传输速率高，但容量有限且成本高昂；固态硬盘（SSD）容量大，但带宽相对受限。HBF被定位为介于两者之间的新型存储层级。它旨在结合两者的优势，在提供较高数据传输能力的同时，基于NAND闪存实现更大的存储容量。

在技术实现上，HBF借鉴了HBM成熟的3D堆叠技术。它将存储介质替换为NAND闪存，并通过硅通孔（TSV）技术实现多层芯片的垂直高速互连。同时，HBF采用了CMOS直接键合到阵列（CBA）设计。这一设计打破了传统NAND闪存的限制，实现了独立访问的存储器子阵列，大幅提升了数据并行访问的能力。此外，由于无需像DRAM那样进行持续刷新，HBF的静态功耗明显更低。

在应用场景上，HBF主要面向读取密集型任务。例如大模型参数的读取，以及共享KV Cache历史块的处理。HBF能够有效承接这部分数据，从而减轻HBM的负担，使HBM专注于延迟敏感型任务。这种协同构建的分层内存架构，有助于在满足AI推理性能需求的同时，显著降低系统的总体拥有成本。

此次发布的标准规范由开放式数据中心技术合作组织（OCP）正式发布。作为行业通用的开放标准，它并非特定企业的私有技术。该规范的制定历时约六个月。今年2月，SK海力士与闪迪牵头成立了HBF技术联盟。目前，谷歌与AI芯片企业Tenstorrent已作为成员加入。

在具体技术规范方面，HBF标准定义了两种容量配置。它们分别采用8层和16层NAND芯片堆叠，最高支持512GB容量。带宽标准划分为三个等级（Grade 1至Grade 3），数据传输能力覆盖约0.4TB/s至3.0TB/s。此外，规范涵盖了互联接口与电气特性、Die堆叠工艺的可靠性与封装指南，以及数据读写软件使用指南等内容。在物理连接上，HBF采用了行业通用的UCIe互联协议。这为HBF与GPU、CPU等处理器进行灵活连接提供了基础。

在推进HBF标准化的同时，SK海力士也展示了底层NAND技术的进展。在此次峰会上，公司首次公开了第十代（V10）375层4D NAND闪存晶圆和产品。与上一代相比，该产品的性能功耗比提升了2.5倍，主要面向对性能与能效要求较高的AI基础设施环境。SK海力士表示，计划于明年初启动基于该NAND闪存的高性能企业级固态硬盘（eSSD）量产。

SK海力士表示，将以此次标准规范的发布为契机。公司将依托开放合作模式，进一步扩大HBF联盟规模，加快该技术在AI存储市场的规模化落地，并持续提升技术成熟度与市场接受度。